GB/T 43313-2023《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法》

Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics

国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、浙江东尼电子股份有限公司。

主要起草人姚康、刘立娜、何烜坤、李素青、马春喜、高飞、张红岩、陆敏、郑红军、房玉龙、芦伟立、丁雄杰、刘薇、李嘉炜、晏阳、钮应喜、杨玉聪、黄树福。

基础信息

标准号：GB/T 43313-2023发布日期：2023-11-27实施日期：2024-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所常州臻晶半导体有限公司厦门坤锦电子科技有限公司广东天域半导体股份有限公司中国科学院半导体研究所浙江东尼电子股份有限公司山东天岳先进科技股份有限公司湖州东尼半导体科技有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所有色金属技术经济研究院有限责任公司ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司

起草人

姚康刘立娜马春喜高飞郑红军房玉龙刘薇李嘉炜杨玉聪黄树福何烜坤李素青张红岩陆敏芦伟立丁雄杰晏阳钮应喜

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