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Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司。
主要起草人马农农 、何友琴 、陈潇 、刘立娜 、何烜坤 、李素青 、张红岩 。
标准号:GB/T 41153-2021发布日期:2021-12-31实施日期:2022-07-01标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司
马农农何友琴何烜坤李素青陈潇刘立娜张红岩
YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20240139-T-469 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 870-2020 纯铝化学分析方法痕量杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法YS/T 1539-2022 铝基氮化硼粉末中氮化硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法YS/T 1075.14-2023 钒铝、钼铝中间合金化学分析方法 第14部分:痕量杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20232769-T-469 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
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严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。
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服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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