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156-0036-6678
Test method for dislocation density of monocrystal germanium
国家标准《锗单晶位错密度的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位有研光电新材料有限责任公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
主要起草人张路 、冯德伸 、马会超 、普世坤 、姚康 、刘新军 、郭荣贵 、向清华 、韦圣林 、黄洪伟文 。
标准号:GB/T 5252-2020发布日期:2020-06-02实施日期:2021-04-01全部代替标准:GB/T 5252-2006标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
有研光电新材料有限责任公司国合通用测试评价认证股份公司中国电子科技集团公司第四十六研究所中锗科技有限公司北京国晶辉红外光学科技有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司广东先导稀材股份有限公司义乌力迈新材料有限公司
张路冯德伸姚康刘新军韦圣林黄洪伟文马会超普世坤郭荣贵向清华
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法GB/T 43088-2023 微束分析 分析电子显微术 金属薄晶体试样中位错密度的测定方法
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严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。
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服务领域广泛
服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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