GB/T 34326-2017《表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法》

Surface chemical analysis—Depth profiling—Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS

国家标准《表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法》由TC608（全国表面化学分析标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。

主要起草单位中国计量科学院。

主要起草人王海、王梅玲、张艾蕊、宋小平。

基础信息

标准号：GB/T 34326-2017发布日期：2017-09-29实施日期：2018-08-01标准类别：方法中国标准分类号：G04国际标准分类号：71.040.40 归口单位：全国表面化学分析标准化技术委员会执行单位：全国表面化学分析标准化技术委员会主管部门：中国科学院

采标情况

本标准等同采用ISO国际标准：ISO 16531:2013。采标中文名称:表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准及相关电流或电流密度测量。

起草单位

中国计量科学院

起草人

王海王梅玲张艾蕊宋小平

相近标准(计划)

20240152-T-469 表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法20240005-T-469 表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析GB/T 29557-2013 表面化学分析深度剖析溅射深度测量20233734-T-469 表面化学分析溅射深度剖析用层状膜系为参考物质的优化方法GB/T 41064-2021 表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法GB/T 40109-2021 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法GB/T 20175-2006 表面化学分析溅射深度剖析用层状膜系为参考物质的优化方法SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术语深度剖析标准导则GB/T 32997-2016 表面化学分析辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程