GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。

主要起草人丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴等。

基础信息

标准号：GB/T 30867-2014发布日期：2014-07-24实施日期：2015-02-01标准类别：方法中国标准分类号：H83国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

起草人

丁丽周智慧郝建民蔺娴

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