GB/T 29332-2012《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

国家标准《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。

主要起草人蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满。

基础信息

标准号：GB/T 29332-2012发布日期：2012-12-31实施日期：2013-06-01标准类别：产品中国标准分类号：L42国际标准分类号：31.080.30;31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。采标中文名称:半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。

起草单位

西安电力电子技术研究所英飞凌科技（中国）有限公司江苏宏微科技有限公司西安爱帕克电力电子有限公司威海新佳电子有限公司

起草人

蔚红旗张立王晓宝秦贤满陈子颖乜连波

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