GB/T 26066-2010《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》

practice for shallow etch pit detection on silicon

国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。

主要起草人田素霞、张静雯、王文卫、周涛。

基础信息

标准号：GB/T 26066-2010发布日期：2011-01-10实施日期：2011-10-01标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

起草人

田素霞张静雯王文卫周涛

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