GB/T 6219-1998《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

国家标准《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位电子工业部标准化研究所。

基础信息

标准号：GB/T 6219-1998发布日期：1998-11-17实施日期：1999-06-01全部代替标准：GB 6219-1986标准类别：产品中国标准分类号：L42国际标准分类号：31.080.30 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-8-1:1987 QC 750112。采标中文名称:。

起草单位

电子工业部标准化研究所

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