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156-0036-6678
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》由339-1(工业和信息化部(电子))归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位机械电子工业部46所和4所。
标准号:GB/T 14863-1993发布日期:1993-12-30实施日期:1994-10-01废止日期:2014-08-15标准类别:方法中国标准分类号:L41归口单位:工业和信息化部(电子)执行单位:工业和信息化部(电子)主管部门:工业和信息化部(电子)
机械电子工业部46所和4所
GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法20233915-T-469 隔离栅20240533-T-610 蓄电池板栅用铅合金锭GB/T 30241.2-2013 齐纳二极管安全栅第2部分:性能评定方法JT/T 848-2013 公路用复合隔离栅立柱GB/T 19247.6-2024 印制板组装第6部分:球栅阵列(BGA)和盘栅阵列(LGA)焊点空洞的评估要求及测试方法YS/T 915-2013 蓄电池板栅用铅锑合金锭YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法
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服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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