GB/T 44558-2024《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》

Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司。

主要起草人曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明。

基础信息

标准号：GB/T 44558-2024发布日期：2024-09-29实施日期：2025-04-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏第三代半导体研究院有限公司北京大学北京大学东莞光电研究院ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司苏州纳维科技有限公司苏州科技大学国家纳米科学中心东莞市中镓半导体科技有限公司苏州大学北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

起草人

曾雄辉董晓鸣王建峰徐科郭延军陈家凡敖松泉唐明华苏旭军牛牧童王晓丹徐军王新强颜建锋闫宝华李艳明

相近标准(计划)

GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法YB/T 4676-2018 钢中析出相的分析透射电子显微镜法GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法JB/T 5585-1991 透射电子显微镜分辩力测试方法JB/T 5584-1991 透射电子显微镜放大率测试方法20250728-T-469 微束分析高温合金界面微量和痕量元素含量的测定透射电子显微镜法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法