GB/T 24581-2022《硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》

Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司。

主要起草人梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林。

基础信息

标准号：GB/T 24581-2022发布日期：2022-03-09实施日期：2022-10-01全部代替标准：GB/T 24581-2009标准类别：方法中国标准分类号：H17国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

乐山市产品质量监督检验所江苏中能硅业科技发展有限公司新特能源股份有限公司四川永祥股份有限公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司新疆协鑫新能源材料科技有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司江苏秦烯新材料有限公司青海芯测科技有限公司亚洲硅业（青海）股份有限公司有研半导体硅材料股份公司陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司洛阳中硅高科技有限公司国标（北京）检验认证有限公司宜昌南玻硅材料有限公司义乌力迈新材料有限公司

起草人

梁洪赵晓斌魏东亮王彬李素青李朋飞魏强楚东旭刘红何建军万涛薛心禄邱艳梅杨素心赵培芝王永涛周延江刘文明皮坤林

相近标准(计划)

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