GB/T 43493.2-2023《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司。

主要起草人芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建锋、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金。

基础信息

标准号：GB/T 43493.2-2023发布日期：2023-12-28实施日期：2024-07-01标准类别：方法中国标准分类号：L90国际标准分类号：31.080.99 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-2:2019。采标中文名称:半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司中国科学院半导体研究所山西烁科晶体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司深圳市恒运昌真空技术有限公司深圳超盈智能科技有限公司厦门柯尔自动化设备有限公司之江实验室浙江大学河北普兴电子科技股份有限公司中电化合物半导体有限公司广东天域半导体股份有限公司常州银河世纪微电子股份有限公司深圳市鹰眼在线电子科技有限公司常州臻晶半导体有限公司厦门普诚科技有限公司

起草人

芦伟立房玉龙李丽霞杨青张建锋李振廷张永强钮应喜丁雄杰刘薇乐卫平周翔郑隆结薛联金李佳张冉冉殷源刘立娜徐晨宋生金向军毛开礼周少丰庄建军夏俊杰陆敏

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