GB/T 43493.1-2023《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体（上海）有限公司。

主要起草人房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建锋、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、夏俊杰、周少丰、郭世平。

基础信息

标准号：GB/T 43493.1-2023发布日期：2023-12-28实施日期：2024-07-01标准类别：基础中国标准分类号：L90国际标准分类号：31.080.99 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-1:2019。采标中文名称:半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）之江实验室中国电子科技集团公司第四十六研究所中电化合物半导体有限公司ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司河北普兴电子科技股份有限公司深圳市晶扬电子有限公司常州臻晶半导体有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司山东天岳先进科技股份有限公司浙江大学中国科学院半导体研究所广东天域半导体股份有限公司山西烁科晶体有限公司深圳创智芯联科技股份有限公司广州弘高科技股份有限公司深圳超盈智能科技有限公司中微半导体（上海）有限公司

起草人

房玉龙芦伟立张红岩王健李振廷张建锋刘立娜钮应喜刘薇杨玉聪姚玉高东兴夏俊杰周少丰李佳张冉冉李丽霞殷源徐晨杨青金向军丁雄杰魏汝省吴会旺王辉陆敏郭世平

相近标准(计划)

GB/T 43493.2-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法GB/T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法20201543-T-339 半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法20232280-T-605 钢管无损检测表面缺陷机器视觉检测技术通则20230652-T-339 半导体器件能量收集和产生半导体器件第5部分：测量柔性热电器件发电功率的测试方法20204111-T-339 半导体器件微电子机械器件第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片20230657-T-339 半导体器件能量收集和产生半导体器件第2部分：基于热功率的热电能量收集器