GB/T 1553-2023《硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法》

Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。

主要起草人孙燕、宁永铎、李素青、朱晓彤、贺东江、王昕、薛心禄、徐岩、潘金平、严大洲、王彬、蔡云鹏、田新、赵培芝、冉胜国、韩成福、普世坤、蔡丽艳、高源、赵晶、崔丁方。

基础信息

标准号：GB/T 1553-2023发布日期：2023-08-06实施日期：2024-03-01全部代替标准：GB/T 1553-2009标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

有研半导体硅材料股份公司广州昆德半导体测试技术有限公司陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司洛阳中硅高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司亚洲硅业（青海）股份有限公司云南驰宏国际锗业有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司青海芯测科技有限公司浙江海纳半导体股份有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司江苏鑫华半导体科技股份有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

起草人

孙燕宁永铎贺东江王昕潘金平严大洲田新赵培芝普世坤蔡丽艳崔丁方李素青朱晓彤薛心禄徐岩王彬蔡云鹏冉胜国韩成福高源赵晶

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