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Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor
国家标准《硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位TCL中环新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包头)有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司。
主要起草人张雪囡 、王林 、王建平 、李向宇 、杨阳 、邓浩 、刘文明 、赵子龙 、郭红强 、张石晶 、潘金平 、李寿琴 、赵军 。
标准号:GB/T 42907-2023发布日期:2023-08-06实施日期:2024-03-01标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
TCL中环新能源科技股份有限公司隆基绿能科技股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司四川永祥光伏科技有限公司弘元新材料(包头)有限公司宜昌南玻硅材料有限公司内蒙古中环晶体材料有限公司
张雪囡王林杨阳邓浩郭红强张石晶赵军王建平李向宇刘文明赵子龙潘金平李寿琴
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试间隙氧含量减少法GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法
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严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。
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服务领域广泛
服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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