GB/T 6616-2023《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法》

Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge

国家标准《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江旭盛电子有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司。

主要起草人何烜坤、刘立娜、李素青、张颖、马春喜、张海英、潘金平、丁雄杰、任殿胜、王元立、朱晓彤、张雪囡、佘宗静、齐斐、许蓉、李明达、詹玉峰、黄笑容、边仿。

基础信息

标准号：GB/T 6616-2023发布日期：2023-08-06实施日期：2024-03-01全部代替标准：GB/T 6616-2009标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所浙江金瑞泓科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司山东有研半导体材料有限公司北京天科合达半导体股份有限公司浙江旭盛电子有限公司昆山海菲曼科技集团有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司浙江海纳半导体股份有限公司北京通美晶体技术股份有限公司天津中环领先材料技术有限公司中电晶华（天津）半导体材料有限公司浙江中晶科技股份有限公司

起草人

何烜坤刘立娜马春喜张海英任殿胜王元立佘宗静齐斐詹玉峰黄笑容李素青张颖潘金平丁雄杰朱晓彤张雪囡许蓉李明达边仿

相近标准(计划)

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