GB/T 41751-2022《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司。

主要起草人邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇。

基础信息

标准号：GB/T 41751-2022发布日期：2022-10-12实施日期：2023-02-01标准类别：方法中国标准分类号：H21国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所厦门柯誉尔科技有限公司福建兆元光电有限公司苏州纳维科技有限公司哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司山西华晶恒基新材料有限公司

起草人

邱永鑫徐科李腾坤左洪波杨鑫宏邝光宁王建峰任国强郑树楠刘立娜丁崇灯陈友勇

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