GB/T 24581-2009《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位四川新光硅业科技有限责任公司。

主要起草人梁洪、过惠芬、吴道荣。

基础信息

标准号：GB/T 24581-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01废止日期：2022-10-01标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等同采用其他国际标准：SEMI MF 1630-0704。采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司

起草人

梁洪过惠芬吴道荣

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