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156-0036-6678
Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method
国家标准《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、有研半导体材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司。
主要起草人鲁文锋 、刘晓霞 、秦榕 、孙燕 、赵而敬 、王桃霞 、赵玉 、王忠慧 、柳德发 、张园园 、银波 、邱艳梅 、刘强 。
标准号:GB/T 37049-2018发布日期:2018-12-28实施日期:2019-04-01标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040.30 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
江苏中能硅业科技发展有限公司有研半导体材料有限公司新特能源股份有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司宜昌南玻硅材料有限公司洛阳中硅高科技有限公司
鲁文锋刘晓霞赵而敬王桃霞柳德发张园园刘强秦榕孙燕赵玉王忠慧银波邱艳梅
YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20240139-T-469 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法DB15/T 1239-2017 多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 980-2014 高纯三氧化二镓杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法SN/T 3363-2012 铅锭中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法20250130-T-469 天然气微量金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法DB63/T 1611-2017 光纤预制棒原料四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
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