GB/T 13389-2014《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。

主要起草单位有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。

主要起草人孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧等。

基础信息

标准号：GB/T 13389-2014发布日期：2014-12-31实施日期：2015-09-01全部代替标准：GB/T 13389-1992标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

有研半导体材料股份有限公司中国计量科学研究院杭州海纳半导体有限公司西安隆基硅材料股份有限公司四川新光硅业科技有限责任公司浙江省硅材料质量检验中心浙江金瑞泓科技股份有限公司

起草人

孙燕梁洪张静王飞尧高英楼春兰

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