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Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
国家标准《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位峨嵋半导体材料研究所。
标准号：GB/T 13389-1992发布日期：1992-02-19实施日期：1992-10-01标准类别：方法中国标准分类号：H21归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
本标准等同采用ITU国际标准：ASTM F723:1987。采标中文名称:。
峨嵋半导体材料研究所
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法20231494-T-339 掺铒光纤放大器 第2部分：L波段掺铒光纤放大器20242164-T-609 光刻用掺钛石英玻璃20220863-T-333 燃气掺氢混气装置SY/T 6394-2009 油井水泥与外加剂（外掺料）干混作业与气力输送规程SL 157-2010 掺气减蚀模型试验规程20214166-T-609 水泥中石膏掺量评估方法GB/T 18898.2-2008 掺铒光纤放大器L波段掺铒光纤放大器20243598-T-469 天然气管道掺氢输送技术要求
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微析院所经过严格的审核程序，获得了CMA资质认证成为正规的检测机构，不出具CMA检测报告的机构请斟酌。
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服务
服务领域广泛
服务领域广泛，涉及众多行业。食品、环境、医药、化工，还是建筑、电子、机械等领域，都能提供专业检测服务。
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