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Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位上海有色金属研究所。
标准号：GB/T 6616-1995发布日期：1995-04-18实施日期：1995-12-01废止日期：2010-06-01标准类别：方法中国标准分类号：H21归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F673:1990。采标中文名称:。
上海有色金属研究所
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法20230662-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分：柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定扩展电阻探针法SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法GB/T 12968-1991 纯金属电阻率与剩余电阻比涡流衰减测量方法GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法20240965-T-606 乙炔炭黑 第9部分 电阻率的测定
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CMA检测资质
微析院所经过严格的审核程序，获得了CMA资质认证成为正规的检测机构，不出具CMA检测报告的机构请斟酌。
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数据严谨精准
提供精准的数据支持，建立了完善的数据管理系统，对每个检测项目数据进行详细记录与归档，以便随时查阅追溯。
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独立公正立场
严格按照法律法规和行业标准行事，不受任何外部干扰，真实反映实际情况，出具的检测报告具有权威性和公信力。
服务
服务领域广泛
服务领域广泛，涉及众多行业。食品、环境、医药、化工，还是建筑、电子、机械等领域，都能提供专业检测服务。
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