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Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
国家标准《硅片参考面结晶学取向X射线测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。
主要起草单位北京有色金属研究总院。
标准号:GB/T 13388-1992发布日期:1992-02-19实施日期:1992-10-01废止日期:2010-06-01标准类别:方法中国标准分类号:H21归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
本标准等同采用ITU国际标准:ASTM F847:1983。采标中文名称:。
北京有色金属研究总院
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法SN/T 3514-2013 电工钢晶粒取向与无取向鉴定方法 X射线衍射测定织构法GB/T 11685-2003 半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法WS/T 851-2025 X射线计算机体层成像儿童诊断参考水平标准WS/T 637-2018 X射线计算机断层摄影成年人诊断参考水平GB/T 40110-2021 表面化学分析全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染GB/T 12162.4-2010 用于校准剂量仪和剂量率仪及确定其能量响应的X和γ参考辐射第4部分:低能X射线参考辐射场中场所和个人剂量仪的校准20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法GB/T 25758.5-2010 无损检测工业X射线系统焦点特性第5部分:小焦点和微焦点X射线管的有效焦点尺寸的测量方法GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法
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