GB/T 24582-2009《酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

国家标准《酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

主要起草单位新光硅业科技责任有限公司。

主要起草人王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。

基础信息

标准号：GB/T 24582-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01废止日期：2024-03-01标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

起草单位

新光硅业科技责任有限公司

起草人

王波过惠芬敖细平吴道荣梁洪

相近标准(计划)

GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法GB/T 24579-2009 酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法DB15/T 1239-2017 多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定电感耦合等离子体质谱法EJ/T 20170-2018 金属铀中20种微量杂质元素的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法SN/T 3796-2014 滑石粉中酸溶杂质元素（铅、镉、铬、砷、汞、铜、锌、锰、镍、钴）的测定电感耦合等离子体质谱法YY/T 1740.3-2024 医用质谱仪第3部分：电感耦合等离子体质谱仪EJ/T 1220-2007 天然六氟化铀中金属杂质元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES法）