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Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory
国家标准《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大学、中兴通讯股份有限公司。
主要起草人菅端端 、陈大为 、钟明琛 、罗晓羽 、冯光涛 、倪昊 、赵子鉴 、董艺 、田万廷 、高硕 、闵昊 、刘刚 。
标准号:GB/T 36477-2018发布日期:2018-06-07实施日期:2019-01-01标准类别:方法中国标准分类号:L56国际标准分类号:31.200 归口单位:全国集成电路标准化技术委员会执行单位:全国集成电路标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)
中国电子技术标准化研究院上海复旦微电子集团股份有限公司北京兆易创新科技股份有限公司中兴通讯股份有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司深圳市中兴微电子技术有限公司复旦大学
菅端端陈大为冯光涛倪昊田万廷高硕钟明琛罗晓羽赵子鉴董艺闵昊刘刚
GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)20242556-T-339 半导体集成电路 嵌入式存储器测试方法20242554-T-339 半导体集成电路 嵌入式存储器接口要求SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口20233686-T-339 半导体器件 集成电路第2部分:数字集成电路 第八篇:集成电路静态读/写存储器空白详细规范GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用)20240786-T-339 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第8部分:柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性测试方法
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严格按照法律法规和行业标准行事,不受任何外部干扰,真实反映实际情况,出具的检测报告具有权威性和公信力。
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服务领域广泛
服务领域广泛,涉及众多行业。食品、环境、医药、化工,还是建筑、电子、机械等领域,都能提供专业检测服务。
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